новое название + новый интерфейс

Спустя 13 лет после запуска первой версии сервиса сравнения цен Nadavi,
мы приняли решение сделать решительный шаг вперед и перевести проект
на более функциональную и динамично развивающуюся платформу — E-Katalog.

Украина
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CRC vs Patriot Memory Signature DDR4 1x4Gb PSD44G213341

Добавить в сравнение
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CRC
Patriot Memory Signature DDR4 1x4Gb PSD44G213341
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CRCPatriot Memory Signature DDR4 1x4Gb PSD44G213341
Сравнить цены 3
от 946 грн.
Товар устарел
Отзывы
0
1
0
0
ТОП продавцы
Главное
Хорошая совместимость с процессорами AMD Ryzen. Высокий разгонный потенциал.
Объем памяти комплекта4 ГБ4 ГБ
Кол-во планок в комплекте1 шт1 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Тактовая частота2400 МГц2133 МГц
Пропускная способность19200 МБ/с17000 МБ/с
CAS-латентностьCL17CL15
Схема таймингов памяти17-17-1715-15-15
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планкистандартныйстандартный
Высота планки32 мм
Дата добавления на E-Katalogфевраль 2017

Ранг памяти

Количество рангов, предусмотренное в планке памяти.

Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются двух-, четырех- и даже восьмиранговые решения.

Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.

Тактовая частота

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200 МГц, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000 и 6400 МГц.

Пропускная способность

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Динамика цен
Samsung DDR4 1x4Gb часто сравнивают