Оперативная память Hynix DDR5 SO-DIMM 1x8GB HMCG66AGBSA095N
 |
 |
Hynix HMCG66AGBSA095N | |||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||
Оперативная память Hynix HMCG66AGBSA095N 2026 года выпуска от компании из Южной Кореи. Представляет собой физический модуль данных формата SO-DIMM, на котором размещены чипы поколения DDR5 объемом 8 ГБ. Рассчитан на апгрейд современных лэптопов для работы, учебы и гейминга начального уровня. ОЗУ характеризуется хорошей производительностью и минимальными задержками. Тактовая частота составляет 5600 МГц, рабочее напряжение 1.1В, пропускная способность 44800 МБ/с, First Word Latency 16.43 нс. Планка выполнена в стандартном размере без пассивного охлаждения.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Купить Hynix DDR5 SO-DIMM 1x8GB HMCG66AGBSA095N
Все цены 12 →| 2 768 грн. |  | ||||
| 2 475 грн. |  | ||||
| 2 639 грн. |  | ||||
| 2 733 грн. |  | ||||
| 3 942 грн. |  | ||||
eще 7 предложений
Рекомендуем
2 х 16GB, DDR5, 5200 - 8000 MT/s, 9.23 - 13.85 нс, 28-34-34-89 - 38-48-48-128, 1.2 - 1.45 В
2 x 8GB, DDR4, 2666 - 3200 MT/s, 10 - 14.25 нс, 16-18-18-38 / 19-19-19-43, 1.2 / 1.35 В
2 x 8GB, DDR4, 2133 - 3200 MT/s, 10 - 13.33 нс, 13-15-15-28 - 16-20-20-38, 1.2 / 1.35 В
2 x 8GB, DDR4, 2666 - 5066 MT/s, 7.9 - 11.25 нс, 15-15-15-35 - 20-30-30-50, 1.2 - 1.6 В
2 х 16GB, DDR4, 2666 - 3200 MT/s, 10 - 14.25 нс, 16-18-18-38 / 19-19-19-43, 1.2 / 1.35 В
2 х 16GB, DDR5, 5600 - 6400 MT/s, 9.33 - 12 нс, 28-34-34-89 - 36-36-36-96, 1.35 / 1.4 В
