Сравнение оперативной памяти

Общий объем всех модулей комплекта оперативной памяти.

Зная этот параметр и количество планок в комплекте, можно оценить объем одной планки. Эта информация может пригодиться для оценки совместимости с конкретным ПК: любая материнская плата имеет ограничение на максимальный объем каждой отдельной планки.

Сейчас на рынке представлены комплекты с таким объем памяти: 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ и даже 128 ГБ. Сочетание нескольких планок позволяет продавать наборы 8 ГБ (2 планки по 4 ГБ), 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ), 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), 32 ГБ (4 планки по 8 ГБ), 48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекты на 64 ГБ представлены такими наборами: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) и 64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗУ на 128 ГБ преимущественно состоят из 4 планок по 32 ГБ или 8 планок по 16 ГБ. А 256 ГБ и 96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) являются не столь востребованными

Количество отдельных планок, входящих в комплект оперативной памяти. Одна планка занимает один слот на материнской плате, поэтому для установки всего комплекта количество свободных слотов должно быть равно количеству планок или больше его.

Если планок в комплекте чётное число, для них может быть предусмотрен режим парной работы. Такой режим значительно увеличивает скорость, однако поддерживается далеко не всеми моделями материнских плат, поэтому в каждом конкретном случае этот момент стоит уточнять отдельно.

Сейчас на рынке представлены планки? поставляемые в таком количестве: одной планкой, комплект из 2 шт, комплект из 4 шт, комплект из 8 шт.

Параметр, определяющий физические размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов на нём. На сегодняшний день наиболее популярны такие форм-факторы:

— DIMM. Классические полноразмерные планки памяти, применяемые в основном в настольных ПК. Количество контактов обычно составляет от 168 до 240.

— SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная версия форм-фактора DIMM, предназначена для применения в портативной компьютерной технике, такой как ноутбуки и планшетные ПК. Количество контактов варьируется от 72 до 200.

— FB-DIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module). Модули памяти, имеющие повышенную надёжность работы за счёт применения в конструкции буфера (см. Поддержка буферизации (Registered)). Применяются чаще всего в серверах. Внешне аналогичны 240-контактным DIMM, однако не совместимы с ними.

Тип памяти, используемый в модуле (модулях). Этот параметр напрямую определяет совместимость с материнской платой: последняя должна поддерживать тот же тип памяти, к которому относится планка, т. к. разные типы не совместимы между собой. Конкретные же варианты на сегодняшний день могут быть такими: устаревшая, но еще где-то встречающаяся память DDR2, уходящая в прошлое DDR3, современная DDR4 и новинка DDR5.

— DDR2. Второе поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2003 году. На сегодняшний день такая память практически полностью вытеснена более продвинутыми стандартами DDR3 и DDR4, поддержку DDR2 можно встретить разве что в откровенно устаревшем ПК или ноутбуке.

— DDR3. Третье поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2007 году. По сравнению с DDR 2 имеет более высокую скорость работы и меньшее энергопотребление На смену данному стандарту постепенно приходит DDR4, однако поддержка DDR3 все еще встречается в относительно простых и недорогих «материнках».

— DDR4. Дальнейшее развитие стандарта DDR, пришедшее на смену DDR3 в 2014 году. Предусматривает, в частности, повышение пропускной способности (в перспективе до 25,6 ГБ/с) и надежности при снижении энергопотребления.

— DDR5. Шествие пятого поколения стандарта DDR началось на рубеже 2020-2021 гг.... В нём предусматривается примерно двукратный прирост производительности подсистемы памяти и наращивание пропускной способности по сравнению с DDR4. Вместо одного 64-битного канала данных DDR5 использует пару независимых 32-битных каналов, которые работают с 16-байтными пакетами и позволяют доставлять 64 байта информации за такт по каждому каналу. Новые модули памяти требуют напряжения 1.1 В, а максимальный объём одной планки DDR5 может достигать внушительных 128 ГБ.

Количество рангов, предусмотренное в планке памяти.

Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются двух-, четырех- и даже восьмиранговые решения.

Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200 МГц, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000 и 6400 МГц.

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.