Форм-фактор памяти
Параметр, определяющий физические размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов на нём. На сегодняшний день наиболее популярны такие форм-факторы:
—
DIMM. Классические полноразмерные планки памяти, применяемые в основном в настольных ПК. Количество контактов обычно составляет от 168 до 240.
—
SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная версия форм-фактора DIMM, предназначена для применения в портативной компьютерной технике, такой как ноутбуки и планшетные ПК. Количество контактов варьируется от 72 до 200.
—
FB-DIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module). Модули памяти, имеющие повышенную надёжность работы за счёт применения в конструкции буфера (см. Поддержка буферизации (Registered)). Применяются чаще всего в серверах. Внешне аналогичны 240-контактным DIMM, однако не совместимы с ними.
Тактовая частота
Тактовая частота модуля оперативной памяти.
Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.
Наиболее востребованными являются модули с частотой
3200 и
3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру
2400,
2666,
2800,
2933,
3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач —
3866,
4000,
4800,
5200 МГц,
5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули
6000 и
6400 МГц.
Пропускная способность
Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.
CAS-латентность
Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).
Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности:
9,
10,
11,
12,
13,
14,
15,
16,
17,
18,
19,
20,
21,
22,
24,
30,
32,
36,
38,
40,
42,
46.
Схема таймингов памяти
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Рабочее напряжение
Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.
