Україна
Каталог   /   Комп'ютерна техніка   /   Комплектуючі   /   Оперативна пам'ять

Порівняння Samsung SEC DDR4 SO-DIMM 1x32Gb SEC432S22/32 vs Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43AB1-CWE

Додати до порівняння
Samsung SEC DDR4 SO-DIMM 1x32Gb SEC432S22/32
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43AB1-CWE
Samsung SEC DDR4 SO-DIMM 1x32Gb SEC432S22/32Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x32Gb M471A4G43AB1-CWE
від 2 729 грн.
Очікується у продажу
Порівняти ціни 32
Відгуки
0
0
1
0
ТОП продавці
Об'єм пам'яті комплекту32 ГБ32 ГБ
Кількість планок у комплекті1 шт1 шт
Форм-фактор пам'ятіSO-DIMMSO-DIMM
Тип пам’ятіDDR4DDR4
Ранг пам'ятідворангова
Характеристики
Тактова частота3200 МГц3200 МГц
Пропускна здатність25600 МБ/с25600 МБ/с
CAS-латентністьCL22CL22
Схема таймінгів пам'яті22-22-22
Робоча напруга1.2 В1.2 В
Тип охолодженнябез охолодженнябез охолодження
Профіль планкистандартнийстандартний
Дата додавання на E-Katalogтравень 2023квітень 2021

Ранг пам'яті

Кількість рангів, передбачена в планці пам'яті.

Рангом в даному разі називають один логічний модуль — набір мікросхем із загальною розрядністю 64 біта. Якщо кількість рангів більше одного — це означає, що на одному фізичному модулі реалізовано декілька логічних, а канал передачі даних вони використовують поперемінно. Подібна конструкція використовується для того, щоб досягти більших об'ємів RAM при обмеженій кількості слотів під окремі планки. При цьому варто сказати, що для побутових комп'ютерів на ранг пам'яті можна не звертати особливої уваги — точніше, для них цілком достатньо однорангових модулів. А ось для потужних серверів і робочих станцій випускаються двох-, чотири- і навіть восьмирангові рішення.

Зазначимо, що за інших рівних умов більше число рангів дає змогу досягти більших об'ємів, однак потребує більшої обчислювальної потужності і підвищує навантаження на систему.

Схема таймінгів пам'яті

Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де

CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;

Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;

Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.

Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.

Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.
Динаміка цін