Порівняння GOODRAM IRDM DDR4 1x4Gb IR-2400D464L17S/4G vs HyperX Fury DDR4 2x4Gb HX421C14FBK2/8

Загальний обсяг всіх модулів комплекту оперативної пам'яті.

Знаючи цей параметр та кількість планок у комплекті, можна оцінити об'єм однієї планки. Ця інформація може стати в нагоді для оцінки сумісності з конкретним ПК: будь-яка материнська плата має обмеження на максимальний об'єм кожної окремої планки.

Зараз на ринку представлені комплекти з таким об'ємом пам'яті: 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ і навіть 128 ГБ. Поєднання декількох планок дає змогу продавати набори 8 ГБ (2 планки по 4 ГБ), 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ), 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), 32 ГБ (4 планки по 8 ГБ), 48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекти на 64 ГБ представлені такими наборами: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) та 64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗП на 128 ГБ переважно складаються з 4 планок по 32 ГБ або 8 планок по 16 ГБ. А 256 ГБ і 96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) є менш затребуваними

Кількість окремих планок, що входять в комплект оперативної пам'яті. Одна планка займає один слот на материнській платі, тому для установки всього комплекту кількість вільних слотів має дорівнювати кількості планок або більше його.

Якщо планок в комплекті парне число, для них може бути передбачений режим парної роботи. Такий режим значно збільшує швидкість, проте підтримується далеко не всіма моделями материнських плат, тому в кожному конкретному випадку цей момент варто уточнювати окремо.

Зараз на ринку представлені планки? поставляються в такій кількості: однією планкою, комплект з 2 шт, комплект з 4 шт, комплект з 8 шт.

Тактова частота модуля оперативної пам'яті.

Чим вище цей показник — тим швидше працює «оперативка», за інших рівних, тим вища її ефективність в іграх та інших ресурсомістких додатках. З іншого боку, висока тактова частота позначається на вартості. Крім того, для використання всіх можливостей пам'яті відповідну частоту має підтримувати материнську плату, до якої підключено модуль.

Найбільш популярними є модулі з частотою 3200 і 3600 МГц - універсальні робочі конячки. Є також варіанти скромніше - наприклад 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. І прогресивні для серйозних завдань - 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 МГц. Також передбачені високочастотні модулі 6000, 6400, 6600, 6800, 7000, 7200 МГц та більше.

Кількість інформації, яку модуль пам'яті може прийняти або передати за одну секунду. Від пропускної здатності безпосередньо залежить швидкість роботи пам'яті і, відповідно, ціна на неї. Водночас це досить специфічний параметр, актуальний переважно для високопродуктивних систем — геймерських і робочих станцій, серверів і т. ін. Якщо ж модуль RAM купується для звичайної домашньої або офісної системи, на пропускну здатність можна не звертати особливої уваги.

Під цим терміном розуміють час (точніше, кількість циклів роботи пам'яті), який проходить від запиту процесора на читання даних до надання доступу до першої з комірок, що містять вибрані дані. CAS-латентність є одним з таймінгів (докладніше про них див п. «Схема таймінгів пам'яті», там цей параметр позначений як CL) — а значить, вона впливає на швидкодію: чим нижче CAS, тим швидше працює даний модуль пам'яті. Правда, це справедливо лише для однієї і тієї ж тактової частоти (докладніше див. там же).

Зараз на ринку представлені модулі пам'яті з такими значеннями CAS-латентності: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де

CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;

Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;

Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.

Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.

Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.

— Серія для розгону (overclocking). Приналежність до подібної серії означає, що виробник першопочатково передбачив у модулі можливість розгону («оверклокінгу») — тобто підвищення продуктивності за рахунок зміни параметрів роботи, зокрема, збільшення робочої напруги і тактової частоти. «Розігнати» можна і звичайну пам'ять, що не належить до оверклокерської — проте це складно і загрожує збоями, аж до повного перегорання схем, тоді як в спеціалізованих серіях розгін є документованою функцією, що реалізується швидко і просто, до того ж найчастіше покривається гарантією.

— Підтримка XMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією XMP. Дана технологія, створена компанією Intel, застосовується для розгону (див. відповідний пункт). Її ключовий принцип полягає в тому, що у модулі пам'яті записані певні профілі розгону — набори налаштувань, перевірені на стабільність роботи; та замість того, щоб вручну виставляти окремі параметри, користувачеві досить вибрати один із профілів. Це спрощує налаштування системи і водночас підвищує її надійність при розгоні. Однак варто враховувати, що для використання XMP її повинна підтримувати не тільки пам'ять, але і материнська плата.

— Підтримка AMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією AMP. За основними особливостями дана технологія повністю аналогічна описаній вище XMP і відрізняється лише творцем — в даному разі це...компанія AMD.

— Підтримка EXPO. Сумісність модуля пам'яті з технологією EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Її створили в компанії AMD спеціально для розгону планок DDR5 у складі систем Ryzen 7000. За своєю суттю, це заводський набір профілів оперативної пам'яті, який спрощує розгін «оперативки». Використання технології дає змогу підвищити продуктивність в іграх приблизно на 11% при роздільній здатності зображення, що транслюється, Full HD.

— Підтримка буферизації (Registered). Наявність у модуля пам'яті так званого буфера — розділу для швидкого збереження даних, що надійшли, — між контролером пам'яті (керуючим пристроєм) і власне чипами (запам'ятовуючими пристроями). Така схема знижує навантаження на контролер, за рахунок чого досягається більш висока надійність; з іншого боку, буферизовані модулі мають злегка знижену швидкодію внаслідок затримки при передачі інформації через буфер. Буферизована пам'ять застосовується переважно в серверних системах і характеризується високою вартістю. При виборі пам'яті варто враховувати, що в одній системі може використовуватися або тільки буферизована, або тільки небуферизована пам'ять; поєднати ці два типи пам'яті неможливо.

— Підтримка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технологія, що дає можливість виправляти дрібні помилки, що виникають у процесі роботи з даними. Для використання ECC необхідно, щоб вона підтримувалася не тільки модулем пам'яті, але і материнською платою; переважно така підтримка застосовується в серверах, проте зустрічається і в «материнках» для звичайних десктопів.