Україна
Каталог   /   Комп'ютерна техніка   /   Комплектуючі   /   Оперативна пам'ять

Порівняння Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CTD vs AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2606U1S-UO

Додати до порівняння
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CTD
AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2606U1S-UO
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CTDAMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2606U1S-UO
Порівняти ціни 1Порівняти ціни 1
Відгуки
0
0
11
ТОП продавці
Об'єм пам'яті комплекту4 ГБ4 ГБ
Кількість планок у комплекті1 шт1 шт
Форм-фактор пам'ятіDIMMDIMM
Тип пам’ятіDDR4DDR4
Характеристики
Тактова частота2666 МГц2666 МГц
Пропускна здатність21300 МБ/с21300 МБ/с
CAS-латентністьCL19CL16
Схема таймінгів пам'яті19-19-1916-18-18-35
Робоча напруга1.2 В1.2 В
Тип охолодженнябез охолодженнябез охолодження
Профіль планкистандартнийстандартний
Дата додавання на E-Katalogлипень 2018квітень 2016

CAS-латентність

Під цим терміном розуміють час (точніше, кількість циклів роботи пам'яті), який проходить від запиту процесора на читання даних до надання доступу до першої з комірок, що містять вибрані дані. CAS-латентність є одним з таймінгів (докладніше про них див п. «Схема таймінгів пам'яті», там цей параметр позначений як CL) — а значить, вона впливає на швидкодію: чим нижче CAS, тим швидше працює даний модуль пам'яті. Правда, це справедливо лише для однієї і тієї ж тактової частоти (докладніше див. там же).

Зараз на ринку представлені модулі пам'яті з такими значеннями CAS-латентності: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймінгів пам'яті

Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де

CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;

Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;

Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.

Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.

Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.
Динаміка цін
Samsung DDR4 1x4Gb часто порівнюють
AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb часто порівнюють