Порівняння Samsung T7 Shield MU-PE4T0S 4 ТБ vs Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW 4 ТБ

UA

— Внутрішній. Накопичувачі, призначені для установки в корпус комп'ютера. Розраховані на постійне функціонування в межах однієї системи, не припускають частого підключення/відключення. Один з найпопулярніших способів використання таких модулів — зберігання системних файлів для прискорення завантаження і роботи ОС; хоча, зрозуміло, внутрішній SSD можна застосовувати і як накопичувач загального призначення.

— Зовнішній. Накопичувачі у вигляді зовнішніх пристроїв, розрахованих на постійне перепідключення. Використовують роз'єми USB або Thunderbolt тієї або іншої версії (див. «Роз'єм»). Зручні, зокрема, для транспортування великих обсягів даних між різними комп'ютерами, особливо якщо ці дані доводиться часто перезаписувати — зовнішні SSD обходяться дорожче зовнішніх жорстких дисків, зате і працюють значно швидше.

— Зовнішній/внутрішній. Моделі, що допускають обидва описаних вище варіанти використання. Зазвичай являють собою внутрішні накопичувачі, доповнені зовнішньою кишенею (див. нижче). Втім, подібна універсальність потрібно вкрай рідко — найчастіше накопичувач купується в розрахунку за один конкретний спосіб використання. Тому даний варіант розповсюдження не отримав.

Роз'єм (роз'єм) підключення, що використовуваний (використовуються) в накопичувачі. Зазначимо, що для зовнішніх моделей тут, як правило, вказується роз'єм на корпусі самого накопичувача; можливість підключення до того чи іншого гнізда на ПК (або іншому пристрої) залежить переважно від наявності відповідних кабелів. Виняток становлять моделі з незнімним дротом — у них йдеться про штекер на такому дроті.

У деяких форм-факторах, наприклад, M.2, використовуваний власний стандартний роз'єм, тому для таких моделей цей параметр не уточнюється. В інших випадках роз'єми можна умовно розділити на зовнішні і внутрішні — залежно від типу накопичувачів (див. вище). У внутрішніх модулях, крім того ж M.2, можна зустріти інтерфейси SATA 3, U.2 та SAS. Зовнішні пристрої використовують переважно різні види USB - класичний роз'єм USB (версії 3.2 gen1 або 3.2 gen2) або USB З (версії 3.2 gen1, 3.2 gen2, 3.2 gen2x2 або USB4). З іншого боку, зустрічаються рішення з інтерфейсом Thunderbolt (зазвичай версій v2 чи v3). Розглянемо ці варіанти докладніше:

- SATA 3. Третя версія інтерфейсу SATA, що забезпечує швидкість передачі д...аних до 5,9 Гбіт/с (близько 600 МБ/с). За мірками SSD така швидкість є невисокою, оскільки SATA спочатку розроблявся під жорсткі диски і не передбачав використання швидкодіючої пам'яті. Тому подібне підключення можна зустріти переважно у бюджетних та застарілих внутрішніх накопичувачах.

- SAS. Стандарт, створений як високопродуктивне з'єднання для серверних систем. Незважаючи на появу більше сучасних інтерфейсів, все ще зустрічається і в наш час. Забезпечує швидкість передачі даних до 22,5 Гбіт/с (2,8 ГБ/с) залежно від версії.

- U.2. Роз'єм, спеціально створений для висококласних внутрішніх накопичувачів у форм-факторі 2,5", переважно серверного призначення. Власне, U.2 - це назва спеціалізованого форм-фактора (2,5", висота 15 мм), а роз'єм формально називається SFF- 8639. Підключаються такі модулі аналогічно до плат розширення PCI-E (по цій же шині), проте мають більше мініатюрні розміри і допускають гарячу заміну.

- U.3. Трихинтерфейсний роз'єм підключення, створений на базі специфікації U.2 (див. відповідний пункт) та використовує аналогічний конектор SFF-8639. Роз'єм U.3 об'єднує інтерфейси SAS, SATA і NVMe в одному контролері, що дає змогу підключати різні типи накопичувачів через той самий слот. У U.3 передбачені окремі контакти визначення конкретного типу дисків. Специфікацію створили для внутрішніх накопичувачів форм-фактора 2.5". Такі модулі мають мініатюрні розміри, допускають гарячу заміну, підтримують зовнішні керуючі імпульси.

- USB 3.2 gen1. Традиційний повнорозмірний роз'єм USB, що відповідає версії 3.2 gen1. Ця версія (раніше відома як 3.1 gen1 чи 3.0) забезпечує швидкість передачі до 4,8 Гбіт/с. Вона сумісна з іншими стандартами USB, хіба що швидкість підключення буде обмежена найповільнішою версією.

- USB 3.2 gen2. Традиційний повнорозмірний роз'єм USB, що відповідає версії 3.2 gen2 (раніше відома як 3.1 gen2 або просто 3.1). Працює на швидкостях до 10 Гбіт/с, в іншому за ключовими особливостями аналогічний до описаного вище USB 3.2 gen1

- USB З 3.2 gen1. Роз'єм типу USB З, який підтримує версію підключення 3.2 gen1. Нагадаємо, ця версія дає змогу досягти швидкості до 4,8 Гбіт/с. А USB З - відносно новий тип USB-роз'єму, що має невеликі розміри (трохи більше microUSB), симетричну овальну форму та двосторонню конструкцію. Він особливо зручний для зовнішніх SSD з урахуванням того, що такі накопичувачі робляться більше мініатюрними.

- USB З 3.2 gen2. Роз'єм типу USB З, що підтримує версію підключення 3.2 gen2 - зі швидкістю передачі даних до 10 Гбіт/с. Втім, такій накопичувач зможе працювати і з повільнішими USB-портами — хіба швидкість буде обмежена можливостями такого порту. Докладніше про сам роз'єм USB З див.

- USB З 3.2 gen2x2. Роз'єм типу USB З, який підтримує версію підключення 3.2 gen2x2. Детальніше про сам роз'єм див. вище; а версія 3.2 gen 2x2 (раніше відома як USB 3.2) дає змогу досягти швидкостей до 20 Гбіт/с - тобто вдвічі вище, ніж в оригінальній 3.2 gen 2, звідси і назва. Також варто відзначити, що ця версія реалізується тільки через роз'єм USB З і не застосовується в портах більше ранніх стандартів.



- USB4. Високошвидкісна ревізія інтерфейсу USB, що використовує лише симетричні роз'єми типу USB type C. Дозволяє домогтися швидкостей передачі на рівні до 40 Гбіт/с (залежно від технологій і стандартів, реалізованих у конкретному порту). Інтерфейс може підтримувати Thunderbolt v3 і v4, також має зворотну сумісність з попередніми специфікаціями USB, хіба що для пристроїв з повнорозмірним штекером USB-A буде потрібно адаптер.

Модель контролера, встановленого в SSD-накопичувачі.

Контролер являє собою управляючу схему, яка, власне, і забезпечує обмін інформацією між комірками пам'яті та комп'ютером, до якої підключений накопичувач. Можливості того чи іншого SSD-модуля (зокрема, швидкість читання і запису) багато в чому залежать саме від цієї схеми. Знаючи модель контролера, можна знайти детальні дані по ньому і оцінити можливості накопичувача. Для нескладного повсякденного використання ця інформація, зазвичай, не потрібна, але ось професіоналам і ентузіастам (моддерам, оверклокерам) вона може стати в нагоді.

В наш час висококласні контролери випускаються переважно під такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Буферна пам'ять являє собою невеликий чип на SSD-диску, що виконує функцію транзиту даних між диском і материнською платою. По суті, він виступає такою собі проміжною ланкою між оперативною пам'яттю комп'ютера і власною постійною пам'яттю накопичувача. Буфер служить для зберігання найбільш часто запитуваних з модуля даних, завдяки чому зменшується час доступу до них — інформація надсилається з кеша, замість того, щоб зчитуватися з магнітного носія. Як правило, чим більше розмір буфера - тим вища швидкодія накопичувача, при інших рівних умовах. Також накопичувачі з великим об'ємом буферної пам'яті знижують навантаження на процесор.

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

— MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

— TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

— 3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

— 3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

— 3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

— 3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

Підтримка накопичувачем технології NVMe.

NVMe являє собою протокол обміну даними, розроблений спеціально для SSD-модулів і застосовуваний при підключенні по шині PCI-E. Цей протокол був розроблений для усунення недоліків, характерних для більш ранніх стандартів підключення (зразок SCSI або SATA) — насамперед невисокій швидкості, не дозволяла реалізувати всі можливості твердотільної пам'яті. NVMe враховує ключові переваги SSD — незалежний доступ, багатопотоковість і низькі затримки. Підтримка цього протоколу вбудована в усі основні сучасні операційні системи, він працює не тільки через оригінальний інтерфейс PCIe, але і через M. 2 (див. «Форм-фактор»). А роз'єм U. 2 взагалі був створений спеціально для SSD-накопичувачів з NVMe (хоча наявність цього роз'єми саме по собі ще не означає сумісності з даним протоколом).

Найбільша швидкість в режимі запису характеризує швидкість, з якою модуль може приймати інформацію з підключеного комп'ютера (або іншого зовнішнього пристрою). Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD.

Найбільша швидкість обміну даними з комп'ютером (або іншим зовнішнім пристроєм), яку накопичувач може забезпечити в режимі зчитування; простіше кажучи — найбільша швидкість виведення інформації з накопичувача на зовнішній пристрій. Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD. Її значення можуть варіюватися від 100 – 500 МБ/с в найбільш повільних моделях до 3 Гб/с і вище в самих прогресивних.

Параметр, що визначає стійкість накопичувача до ударів і струсів в процесі роботи. Вимірюється в G — одиницях перевантаження, 1 G відповідає звичайній силі земного тяжіння. Чим вище число G — тим більш стійко пристрій до різного роду струсів і тим менша ймовірність пошкодження даних у ньому, скажімо, у випадку падіння. Цей параметр особливо важливий для зовнішніх накопичувачів (див. Тип).