Об'єм пам'яті комплекту
Загальний обсяг всіх модулів комплекту оперативної пам'яті.
Знаючи цей параметр та кількість планок у комплекті, можна оцінити об'єм однієї планки. Ця інформація може стати в нагоді для оцінки сумісності з конкретним ПК: будь-яка материнська плата має обмеження на максимальний об'єм кожної окремої планки.
Зараз на ринку представлені комплекти з таким об'ємом пам'яті:
4 ГБ,
8 ГБ,
16 ГБ,
32 ГБ,
64 ГБ і навіть
128 ГБ. Поєднання декількох планок дає змогу продавати набори
8 ГБ (2 планки по 4 ГБ),
16 ГБ (2 планки по 8 ГБ),
16 ГБ (4 планки по 4 ГБ),
32 ГБ (2 планки по 16 ГБ),
32 ГБ (4 планки по 8 ГБ),
48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекти на 64 ГБ представлені такими наборами:
64 ГБ (2 планки по 32 ГБ),
64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) та
64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗП на 128 ГБ переважно складаються з
4 планок по 32 ГБ або
8 планок по 16 ГБ. А
...="/ua/list/188/pr-47203/">256 ГБ і
96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) є менш затребуваними
Тип пам’яті
Тип пам'яті, який використовувується в модулі (модулях). Цей параметр напряму визначає сумісність з материнською платою: остання повинна підтримувати той же тип пам'яті, до якого належить планка, тому що різні типи не сумісні між собою. Конкретні ж варіанти на сьогоднішній день можуть бути такими: застаріла, але така, що ще десь зустрічається
пам'ять DDR2, така, що йде в минуле
DDR3, сучасна
DDR4 і новинка
DDR5.
— DDR2. Друге покоління оперативної пам'яті з подвоєною передачею даних, випущене в 2003 році. На сьогоднішній день така пам'ять практично повністю витіснена більш прогресивними стандартами DDR3 і DDR4, підтримку DDR2 можна зустріти хіба що у відверто застарілому ПК або ноутбуці.
— DDR3. Третє покоління оперативної пам'яті з подвоєною передачею даних, випущене в 2007 році. У порівнянні з DDR 2 має більш високу швидкість роботи і менше енергоспоживання. На зміну даному стандарту поступово приходить DDR4, проте підтримка DDR3 все ще зустрічається у відносно простих і недорогих «материнках».
— DDR4. Подальший розвиток стандарту DDR, що прийшов на зміну DDR3 в 2014 році. Передбачає, зокрема, підвищення пропускної здатності (в перспективі до 25,6 ГБ/с) і надійності при зниженні енергоспоживання.
— DDR5. Хода п'ятого покоління стандарту DDR розпочалася на рубежі 2020-2021 років. У ньому
...передбачається приблизно дворазовий приріст продуктивності підсистеми пам'яті та нарощування пропускної спроможності порівняно з DDR4. Замість одного 64-бітного каналу даних DDR5 використовує пару незалежних 32-бітових каналів, які працюють з 16-байтними пакетами і дають змогу доставляти 64 байти інформації за такт по кожному каналу. Нові модулі пам'яті потребують напруги 1.1 В, а максимальний об'єм однієї планки DDR5 може досягати значних 128 ГБ.Ранг пам'яті
Кількість рангів, передбачена в планці пам'яті.
Рангом в даному разі називають один логічний модуль — набір мікросхем із загальною розрядністю 64 біта. Якщо кількість рангів більше одного — це означає, що на одному фізичному модулі реалізовано декілька логічних, а канал передачі даних вони використовують поперемінно. Подібна конструкція використовується для того, щоб досягти більших об'ємів RAM при обмеженій кількості слотів під окремі планки. При цьому варто сказати, що для побутових комп'ютерів на ранг пам'яті можна не звертати особливої уваги — точніше, для них цілком достатньо
однорангових модулів. А ось для потужних серверів і робочих станцій випускаються
двох-,
чотири- і навіть восьмирангові рішення.
Зазначимо, що за інших рівних умов більше число рангів дає змогу досягти більших об'ємів, однак потребує більшої обчислювальної потужності і підвищує навантаження на систему.
CAS-латентність
Під цим терміном розуміють час (точніше, кількість циклів роботи пам'яті), який проходить від запиту процесора на читання даних до надання доступу до першої з комірок, що містять вибрані дані. CAS-латентність є одним з таймінгів (докладніше про них див п. «Схема таймінгів пам'яті», там цей параметр позначений як CL) — а значить, вона впливає на швидкодію: чим нижче CAS, тим швидше працює даний модуль пам'яті. Правда, це справедливо лише для однієї і тієї ж тактової частоти (докладніше див. там же).
Зараз на ринку представлені модулі пам'яті з такими значеннями CAS-латентності:
9,
10,
11,
12,
13,
14,
15,
16,
17,
18,
19,
20,
21,
22,
24,
30,
32,
36,
38,
40,
42,
46.
Схема таймінгів пам'яті
Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де
CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;
Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;
Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.
Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.
Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.
Робоча напруга
Штатний електричну напругу, необхідну для роботи модуля пам'яті. При виборі пам'яті необхідно звернути увагу на те, щоб відповідна напруга підтримувалося материнською платою.
