Україна
Каталог   /   Комп'ютерна техніка   /   Комплектуючі   /   Оперативна пам'ять

Порівняння GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb IR-2400D464L15S/16GDC vs Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D240FSBK

Додати до порівняння
GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb IR-2400D464L15S/16GDC
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D240FSBK
GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb IR-2400D464L15S/16GDCCrucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D240FSBK
від 2 489 грн.
Товар застарів
від 3 158 грн.
Товар застарів
Відгуки
0
0
13
Об'єм пам'яті комплекту16 ГБ8 ГБ
Кількість планок у комплекті2 шт1 шт
Форм-фактор пам'ятіDIMMDIMM
Тип пам’ятіDDR4DDR4
Ранг пам'ятіодноранговаоднорангова
Характеристики
Тактова частота2400 МГц2400 МГц
Пропускна здатність19200 МБ/с19200 МБ/с
CAS-латентністьCL15CL16
Схема таймінгів пам'яті15-15-1516-16-16
Робоча напруга1.2 В1.2 В
Тип охолодженнярадіаторрадіатор
Профіль планкистандартнийстандартний
Висота планки33 мм
Додатково
 
 
серія для розгону (overclocking)
підтримка XMP
Колір корпусу
Дата додавання на E-Katalogчервень 2017листопад 2015

Об'єм пам'яті комплекту

Загальний обсяг всіх модулів комплекту оперативної пам'яті.

Знаючи цей параметр та кількість планок у комплекті, можна оцінити об'єм однієї планки. Ця інформація може стати в нагоді для оцінки сумісності з конкретним ПК: будь-яка материнська плата має обмеження на максимальний об'єм кожної окремої планки.

Зараз на ринку представлені комплекти з таким об'ємом пам'яті: 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ і навіть 128 ГБ. Поєднання декількох планок дає змогу продавати набори 8 ГБ (2 планки по 4 ГБ), 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ), 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), 32 ГБ (4 планки по 8 ГБ), 48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекти на 64 ГБ представлені такими наборами: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) та 64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗП на 128 ГБ переважно складаються з 4 планок по 32 ГБ або 8 планок по 16 ГБ. А 256 ГБ і 96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) є менш затребуваними

Кількість планок у комплекті

Кількість окремих планок, що входять в комплект оперативної пам'яті. Одна планка займає один слот на материнській платі, тому для установки всього комплекту кількість вільних слотів має дорівнювати кількості планок або більше його.

Якщо планок в комплекті парне число, для них може бути передбачений режим парної роботи. Такий режим значно збільшує швидкість, проте підтримується далеко не всіма моделями материнських плат, тому в кожному конкретному випадку цей момент варто уточнювати окремо.

Зараз на ринку представлені планки? поставляються в такій кількості: однією планкою, комплект з 2 шт, комплект з 4 шт, комплект з 8 шт.

CAS-латентність

Під цим терміном розуміють час (точніше, кількість циклів роботи пам'яті), який проходить від запиту процесора на читання даних до надання доступу до першої з комірок, що містять вибрані дані. CAS-латентність є одним з таймінгів (докладніше про них див п. «Схема таймінгів пам'яті», там цей параметр позначений як CL) — а значить, вона впливає на швидкодію: чим нижче CAS, тим швидше працює даний модуль пам'яті. Правда, це справедливо лише для однієї і тієї ж тактової частоти (докладніше див. там же).

Зараз на ринку представлені модулі пам'яті з такими значеннями CAS-латентності: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймінгів пам'яті

Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де

CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;

Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;

Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.

Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.

Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.

Додатково

— Серія для розгону (overclocking). Приналежність до подібної серії означає, що виробник першопочатково передбачив у модулі можливість розгону («оверклокінгу») — тобто підвищення продуктивності за рахунок зміни параметрів роботи, зокрема, збільшення робочої напруги і тактової частоти. «Розігнати» можна і звичайну пам'ять, що не належить до оверклокерської — проте це складно і загрожує збоями, аж до повного перегорання схем, тоді як в спеціалізованих серіях розгін є документованою функцією, що реалізується швидко і просто, до того ж найчастіше покривається гарантією.

Підтримка XMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією XMP. Дана технологія, створена компанією Intel, застосовується для розгону (див. відповідний пункт). Її ключовий принцип полягає в тому, що у модулі пам'яті записані певні профілі розгону — набори налаштувань, перевірені на стабільність роботи; та замість того, щоб вручну виставляти окремі параметри, користувачеві досить вибрати один із профілів. Це спрощує налаштування системи і водночас підвищує її надійність при розгоні. Однак варто враховувати, що для використання XMP її повинна підтримувати не тільки пам'ять, але і материнська плата.

— Підтримка AMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією AMP. За основними особливостями дана технологія повністю аналогічна описаній вище XMP і відрізняється лише творцем — в даному разі це...компанія AMD.

Підтримка EXPO. Сумісність модуля пам'яті з технологією EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Її створили в компанії AMD спеціально для розгону планок DDR5 у складі систем Ryzen 7000. За своєю суттю, це заводський набір профілів оперативної пам'яті, який спрощує розгін «оперативки». Використання технології дає змогу підвищити продуктивність в іграх приблизно на 11% при роздільній здатності зображення, що транслюється, Full HD.

Підтримка буферизації (Registered). Наявність у модуля пам'яті так званого буфера — розділу для швидкого збереження даних, що надійшли, — між контролером пам'яті (керуючим пристроєм) і власне чипами (запам'ятовуючими пристроями). Така схема знижує навантаження на контролер, за рахунок чого досягається більш висока надійність; з іншого боку, буферизовані модулі мають злегка знижену швидкодію внаслідок затримки при передачі інформації через буфер. Буферизована пам'ять застосовується переважно в серверних системах і характеризується високою вартістю. При виборі пам'яті варто враховувати, що в одній системі може використовуватися або тільки буферизована, або тільки небуферизована пам'ять; поєднати ці два типи пам'яті неможливо.

Підтримка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технологія, що дає можливість виправляти дрібні помилки, що виникають у процесі роботи з даними. Для використання ECC необхідно, щоб вона підтримувалася не тільки модулем пам'яті, але і материнською платою; переважно така підтримка застосовується в серверах, проте зустрічається і в «материнках» для звичайних десктопів.
Динаміка цін
GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb часто порівнюють
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb часто порівнюють