Украина
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители

Сравнение Silicon Power Velox V55 SP120GBSS3V55S25 120 ГБ vs Silicon Power Slim S55 SP120GBSS3S55S25 120 ГБ

Добавить в сравнение
Silicon Power Velox V55 SP120GBSS3V55S25 120 ГБ
Silicon Power Slim S55 SP120GBSS3S55S25 120 ГБ
Silicon Power Velox V55 SP120GBSS3V55S25 120 ГБSilicon Power Slim S55 SP120GBSS3S55S25 120 ГБ
от 1 028 грн.
Товар устарел
Сравнить цены 6
Отзывы
ТОП продавцы
Типвнутреннийвнутренний
Объем120 ГБ120 ГБ
Форм-фактор2.5"2.5"
РазъемSATA 3SATA 3
Технические хар-ки
КонтроллерPhison PS3108-S8Phison PS3108-S8
Тип памятиTLC3D TLC NAND
Внешняя скорость записи475 МБ/с370 МБ/с
Внешняя скорость считывания556 МБ/с460 МБ/с
Ударостойкость при работе1500 G1500 G
Наработка на отказ1.5 млн. ч
IOPS записи78 тыс78 тыс
Гарантия производителя3 года3 года
Общее
TRIM
Размеры70х100x9 мм100x70x15 мм
Вес79 г63 г
Дата добавления на E-Katalogиюнь 2013июнь 2013

Тип памяти

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Внешняя скорость записи

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Внешняя скорость считывания

Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.

Наработка на отказ

Время наработки накопителя на отказ — время, которое он способен непрерывно проработать без сбоев и неполадок; иными словами — время работы, по истечении которого появляется высокая вероятность появления сбоев, а то и выхода модуля из строя.

Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.
Динамика цен
Silicon Power Velox V55 часто сравнивают
Silicon Power Slim S55 часто сравнивают