Сравнение Samsung 860 EVO MZ-76E250BW 250 ГБ vs Samsung 850 PRO MZ-7KE256BW 256 ГБ

Номинальная емкость накопителя. Этот параметр напрямую определяет не только количество данных, которое может поместиться на устройство, но и его стоимость; многие модели SSD даже выпускаются в нескольких версиях, различающихся по вместимости. Поэтому при выборе стоит учитывать реальные потребности и особенности применения — иначе можно переплатить значительную сумму за не нужные на практике объемы.

Что касается фактических значений, то вместимость 120 ГБ и ниже в наше время считается небольшой. Сюда же можно приравнять и SSD на 240 ГБ. Средними значения уже считаются 500 ГБ, повышенными — 1 ТБ (в диапазон к которым попадают SSD на 400 и 800 ГБ). А наиболее емкие современные SSD вмещают 2 TБ, 4 TБ и даже более.

Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.

Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.

В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Буферная память являет собой небольшой чип на SSD-диске, выполняющий функцию транзита данных между диском и материнской платой. По сути, он выступает эдаким промежуточным звеном между оперативной памятью компьютера и собственной постоянной памятью накопителя. Буфер служит для хранения наиболее часто запрашиваемых с модуля данных, благодаря чему уменьшается время доступа к ним — информация посылается с кеша, вместо того, чтобы считываться с магнитного носителя. Как правило, чем больше размер буфера — тем выше быстродействие накопителя, при прочих равных условиях. Также накопители с большим объёмом буферной памяти снижают нагрузку на процессор.

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

— MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

— TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

— 3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

— 3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

— 3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

— 3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

Время наработки накопителя на отказ — время, которое он способен непрерывно проработать без сбоев и неполадок; иными словами — время работы, по истечении которого появляется высокая вероятность появления сбоев, а то и выхода модуля из строя.

Как правило, в характеристиках указывается некоторое среднее время, выведенное по результатам условного тестирования. Поэтому фактическое значение этого параметра может отличаться от заявленного в ту или иную сторону; однако на практике этого момент не является особо значимым. Дело в том, что для современных SSD время наработки на отказ исчисляется миллионами часов, а 1 млн часов соответствует более чем 110 годам — при этом речь идет именно о чистом времени работы. Так что с практической стороны долговечность накопителя чаще ограничивается более специфическими параметрами — TBW и DPWD (см. ниже); а гарантия производителя вообще не превышает нескольких лет. Впрочем, данные по наработке на отказ в часах могут также пригодиться при выборе: при прочих равных большее время означает бОльшую надежность и долговечность SSD в целом.

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме считывания.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при чтении данных с него. По этом показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Для современных SSD в режиме чтения значение IOPS менее 50 тыс. считается весьма скромным показателем, в большинстве моделей этот параметр лежит в пределах 50 – 100 тыс., однако встречаются и более высокие цифры.

Количество полных перезаписей в день, допускаемое конструкцией накопителя, иными словами — сколько раз в день можно гарантированно перезаписывать накопитель целиком, не боясь сбоев.

Данный параметр описывает общую надежность и долговечность накопителя. По смыслу он схож с TBW (см. соответствующий пункт), одну величину даже можно перевести в другую, зная срок гарантии: TBW = DWPD*V*T*365, где V — объем накопителя в терабайтах, а T — срок гарантии в годах. Тем не менее, DWPD является несколько более специфическим показателем: он описывает не только общую наработку на отказ, но еще и ограничение по количеству перезаписей за день; при превышении данного ограничения накопитель может выйти из строя раньше, чем указано в гарантии. Впрочем, даже небольшие значения DWPD — 0,5 – 1 раз в день, а то и менее 0,5 раз в день — нередко оказываются достаточными не только для несложного повседневного использования, но даже для профессиональных задач. Более высокие показатели — 1 – 2 раза в день или более — встречаются редко; в то же время это могут быть как высококлассные, так и бюджетные SSD-модули.

Гарантия производителя, предусмотренная для данной модели.

Фактически это минимальный срок службы, обещанный производителем при условии соблюдения правил эксплуатации. Чаще всего фактический срок службы устройства оказывается заметно дольше гарантированного. Однако стоит учитывать, что гарантия нередко предусматривает дополнительные условия — например, «[столько-то лет] либо до исчерпания TBW» (подробнее о TBW см. выше).

Конкретные сроки гарантии могут быть разными даже у схожих накопителей одного производителя. Самые популярные варианты — 3 года и 5 лет, однако встречаются и другие цифры — до 10 лет в наиболее дорогих и высококлассных моделях.

Шифрование данных обеспечивает безопасность хранения информации на диске: доступ к зашифрованной информации может получить только тот, кто знает пароль. Модуль шифрования является составляющей частью накопителя и не зависит от компьютера, к которому тот подключён. Возможность шифрования данных критична в том случае, если на диски планируется записывать конфиденциальную информацию; эта функция особенно полезна для переносных накопителей и дисков для ноутбуков, которые более подвержены риску кражи, чем стационарные системы и их составляющие части.