Поддержи E-Katalog!Подключи Premium-подписку по цене чашки кофе
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   SSD-накопители

Сравнение Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ vs Samsung 860 EVO M.2 MZ-N6E250BW 250 ГБ

Добавить в сравнение
Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ
Samsung 860 EVO M.2 MZ-N6E250BW 250 ГБ
Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБSamsung 860 EVO M.2 MZ-N6E250BW 250 ГБ
от 7 455 грн.
Товар устарел
Сравнить цены 1
Отзывы
1
0
0
1
ТОП продавцы
нет в продаже
Высокий IOPS чтения и записи. Поддержка технологии Intelligent TurboWrite. Пятилетняя гарантия.
Типвнутреннийвнутренний
Объем512 ГБ250 ГБ
Форм-факторM.2M.2
Интерфейс M.2PCI-E 3.0 4xSATA 3
Технические хар-ки
КонтроллерSamsung PhoenixSamsung MJX
Буферная память512 МБ512 МБ
Тип памяти3D MLC NAND3D TLC NAND
NVMe
Внешняя скорость записи2300 МБ/с520 МБ/с
Внешняя скорость считывания3500 МБ/с550 МБ/с
Ударостойкость при работе1500 G1500 G
Наработка на отказ1.5 млн. ч1.5 млн. ч
IOPS записи500 тыс88 тыс
IOPS считывания370 тыс97 тыс
TBW600 ТБ150 ТБ
DWPD0.7 раз/день0.3 раз/день
Гарантия производителя5 лет5 лет
Общее
TRIM
Шифрование данных
Размеры22x80 мм22x80 мм
Вес8 г8 г
Дата добавления на E-Katalogапрель 2018февраль 2018
Краткие выводы сравнения ssd-накопителей

Динамика цен
Samsung 970 PRO M.2 часто сравнивают
Samsung 860 EVO M.2 часто сравнивают
Глоссарий

Объем

Номинальная емкость накопителя. Этот параметр напрямую определяет не только количество данных, которое может поместиться на устройство, но и его стоимость; многие модели SSD даже выпускаются в нескольких версиях, различающихся по вместимости. Поэтому при выборе стоит учитывать реальные потребности и особенности применения — иначе можно переплатить значительную сумму за не нужные на практике объемы.

Что касается фактических значений, то вместимость 120 ГБ и ниже в наше время считается небольшой. Сюда же можно приравнять и SSD на 240 ГБ. Средними значения уже считаются 500 ГБ, повышенными — 1 ТБ (в диапазон к которым попадают SSD на 400 и 800 ГБ). А наиболее емкие современные SSD вмещают 2 TБ, 4 TБ и даже более.

Интерфейс M.2

Интерфейс подключения, поддерживаемый накопителем формата M.2 (см. «Форм-фактор»).

Все такие накопители используют стандартный аппаратный разъем, однако через этот разъем могут реализовываться разные электрические (логические) интерфейсы — либо SATA (обычно SATA 3), либо PCI-E (чаще всего в вариантах PCI-E 3.0 2x, PCI-E 3.0 4x, PCI-E 4.0 4x, PCI-E 5.0 4x). Разъем M.2 на материнской плате должен поддерживать соответствующий интерфейс — иначе нормальная работа SSD будет невозможна. Рассмотрим каждый вариант более детально.

Подключение по стандарту SATA 3 обеспечивает скорость передачи данных до 5,9 Гбит/с (около 600 МБ/с); оно считается очень простым вариантом и используется в основном в бюджетных M.2-модулях. Это связано с тем, что данный интерфейс изначально создавался под жесткие диски, и для более быстрых SSD-накопителей его возможностей уже может не хватать.

В свою очередь, интерфейс PCI-E дает более высокие скорости подключения и позволяет реализовывать специальные технологии вроде NVMe (см. ниже). В обозначении такого интерфейса указывается его версия и количество линий — например, PCI-E 3.0 2x означает версию 3 с двумя линиями передачи данных. По этому обозначению можно определить максимальную скорость подключения: PCI-E версии 3.0 дает чуть менее 1 ГБ/с на 1 линию, версии 4....0 — вдвое больше (до 2 ГБ/с), 5.0 — еще вдвое больше «четверки» (почти 4 ГБ/с). Таким образом, к примеру, для PCI-E 5.0 4x максимальная скорость обмена данными будет составлять около 15 ГБ/с (4 линии почти по 4 ГБ/с). При этом отметим, что более новые и быстрые накопители можно подключать к более ранним и медленным разъемам M.2 — разве что скорость передачи данных при этом будет ограничиваться возможностями разъема.

Контроллер

Модель контроллера, установленного в SSD-накопителе.

Контроллер представляет собой управляющую схему, которая, собственно, и обеспечивает обмен информацией между ячейками памяти и компьютером, к которой подключен накопитель. Возможности того или иного SSD-модуля (в частности, скорость чтения и записи) во многом зависят именно от этой схемы. Зная модель контроллера, можно найти подробные данные по нему и оценить возможности накопителя. Для несложного повседневного использования эта информация, как правило, не нужна, но вот профессионалам и энтузиастам (моддерам, оверклокерам) она может пригодиться.

В наше время высококлассные контроллеры выпускаются преимущественно под такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Тип памяти

Тип основной памяти накопителя определяет особенности распределения информации по аппаратным ячейкам и физические особенности самих ячеек.

MLC. Память Multi Level Cell на основе многоярусных ячеек, каждая из которых содержит несколько уровней сигнала. В ячейках памяти MLC хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели надёжности, энергопотребления и производительности. До недавних пор технология была популярна в SSD-модулях начального и среднего уровня, сейчас она постепенно вытесняется более совершенными вариантами на манер TLC или 3D MLC.

TLC. Эволюция технологии MLC. Один элемент флеш-памяти Triple Level Cell может хранить 3 бита информации. Подобная плотность записи несколько увеличивает вероятность возникновения ошибок по сравнению с MLC, кроме того, TLC-память считается менее долговечной. Положительной чертой характера данной технологии является доступная стоимость, а для повышения надёжности в SSD-накопителях с TLC-памятью могут применяться различные конструктивные ухищрения.

3D NAND. В структуре 3D NAND несколько слоев ячеек памяти размещаются вертикально, а между ними организованы взаимосвязи. Благодаря этому обеспечивается большая емкость хранилища данных без наращивания физических размеров накопителя и повышается производительность работы памяти за счет более коротких соединений для каждой ячейки памяти. В SSD-накопит...елях память 3D NAND может использовать чипы MLC, TLC или QLC — подробнее о них поведано в соответствующих пунктах справки.

3D MLC NAND. MLC-память многослойной структуры — её ячейки размещаются на плате не в один уровень, а в несколько «этажей». Как результат, производители добились повышения вместимости накопителей без заметного увеличения габаритов. Также для памяти 3D MLC NAND характерны более высокие показатели надёжности, чем в оригинальной MLC (см. соответствующий пункт), при меньшей стоимости производства.

3D TLC NAND. «Трёхмерная» модификация технологии TLC (см. соответствующий пункт) с размещением ячеек памяти на плате в несколько слоёв. Подобная компоновка позволяет добиться более высокой ёмкости при меньших размерах самих накопителей. В производстве такая память проще и дешевле однослойной.

3D QLC NAND. Тип-флеш памяти с четырёхуровневыми ячейками (Quad Level Cell), предусматривающий по 4 бита данных в каждой клетке. Технология призвана сделать SSD с большими объёмами массово доступными и окончательно отправить традиционные HDD в отставку. В конфигурации 3D QLC NAND память строится по «многоэтажной» схеме с размещением ячеек на плате в несколько слоёв. «Трёхмерная» структура удешевляет производство модулей памяти и позволяет увеличить объём накопителей без ущерба их массогабаритной составляющей.

3D XPoint. Принципиально новый тип памяти, кардинально отличающийся от традиционного NAND. В таких накопителях ячейки памяти и селекторы располагаются на пересечениях перпендикулярных рядов проводящих дорожек. Механизм записи информации в ячейки базируется на изменении сопротивления материала без использования транзисторов. Память 3D XPoint является простой и недорогой в производстве, к тому же она обеспечивает гораздо более высокие показатели скорости и долговечности. Приставка «3D» в названии технологии гласит о том, что ячейки на кристалле размещаются в несколько слоёв. Первое поколение 3D XPoint получило двухслойную структуру и выполнено по 20-нанометровому техпроцессу.

NVMe

Поддержка накопителем технологии NVMe.

NVMe представляет собой протокол обмена данными, разработанный специально для SSD-модулей и применяемый при подключении по шине PCI-E. Этот протокол был разработан для устранения недостатков, характерных для более ранних стандартов подключения (вроде SCSI или SATA) — прежде всего невысокой скорости, не позволявшей реализовать все возможности твердотельной памяти. NVMe учитывает ключевые достоинства SSD — независимый доступ, многопоточность и низкие задержки. Поддержка этого протокола встроена во все основные современные операционные системы, он работает не только через оригинальный интерфейс PCIe, но и через M.2 (см. «Форм-фактор»). А разъем U.2 вообще был создан специально для SSD-накопителей с NVMe (хотя наличие этого разъема само по себе еще не означает совместимости с данным протоколом).

Внешняя скорость записи

Наибольшая скорость в режиме записи характеризует скорость, с которой модуль может принимать информацию с подключенного компьютера (или другого внешнего устройства). Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD.

Внешняя скорость считывания

Наибольшая скорость обмена данными с компьютером (или другим внешним устройством), которую накопитель может обеспечить в режиме считывания; проще говоря — наибольшая скорость вывода информации с накопителя на внешнее устройство. Эта скорость ограничивается как интерфейсом подключения (см. «Разъем»), так и особенностями устройства самого SSD. Ее значения могут варьироваться от 100 – 500 МБ/с в наиболее медленных моделях до 3 Гб/с и выше в самых продвинутых.

IOPS записи

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме записи.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при записи данных. По этому показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему, по произвольной записи, по последовательной записи и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Что касается конкретных значений, то для режима записи с IOPS до 50 тыс. считается сравнительно скромным, 50 – 100 тыс. — средним, более 100 тыс. — высоким.

IOPS считывания

Показатель IOPS, обеспечиваемый накопителем в режиме считывания.

Термином IOPS обозначают наибольшее количество операций ввода-вывода, которое SSD-модуль может совершить за секунду, в данном случае — при чтении данных с него. По этом показателю часто оценивают быстродействие накопителя; однако это далеко не всегда верно. Во-первых, значения IOPS у разных производителей могут замеряться по-разному — по максимальному значению, по среднему и т. п. Во-вторых, преимущества высоких IOPS становятся заметны лишь при некоторых специфических операциях — в частности, одновременном копировании большого количества файлов. Кроме того, на практике скорость работы накопителя может ограничиваться системой, к которой он подключен. В свете всего этого сравнивать по IOPS разные SSD-модули в целом допускается, однако реальная разница в быстродействии, скорее всего, будет не столь заметна, как разница в цифрах.

Для современных SSD в режиме чтения значение IOPS менее 50 тыс. считается весьма скромным показателем, в большинстве моделей этот параметр лежит в пределах 50 – 100 тыс., однако встречаются и более высокие цифры.