Оперативная память GOODRAM IRDM X DDR4 2x16Gb IR-X3000D464L16/32GDC
 | Товар устарел 2 462 грн. Объем памяти комплекта: 32; Планок в комплекте: 2; Тип памяти: DDR4; Тактовая частота: 3000; CAS-латентность: CL16; |
 |
Закрыть
Рекомендуем товары в наличииОперативная память GOODRAM →
16 ГБ, на 2 планках, DDR4, 3200 МГц, тайминги 16-18-18-38, 1.35 В, XMP, радиатор, подсветка
16 ГБ, на 2 планках, DDR4, 3200 МГц, тайминги 16-18-18-38, 1.35 В, XMP, радиатор, подсветка
16 ГБ, на 2 планках, DDR4, 3200 МГц, тайминги 16-20-20-38, 1.35 В, XMP, радиатор, подсветка
16 ГБ, на 2 планках, DDR4, 3200 МГц, тайминги 16-20-20-40, 1.35 В, XMP, радиатор, подсветка
GOODRAM IR-X3000D464L16/32GDC | |||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели GOODRAM.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели GOODRAM.
От DDR до DDR5: Чем отличаются поколения оперативной и видеопамятиВыясняем, чем DDR5 лучше DDR4 и более ранних поколений, а GDDR6 — своих предшественников
Как выбрать оперативную памятьСоветы по выбору оптимальных параметров оперативной памяти, которые обеспечат стабильную работу и производительность ПК
Серия GOODRAM IRDM (топ/игровые)
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 9000 МБ/с, чтение: 11500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2048 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, гарантия 5 лет
512 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запись: 4600 МБ/с, чтение: 5100 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6850 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 11000 МБ/с, чтение: 12000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5500 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, гарантия 5 лет
