Карта пам'яті GOODRAM SDXC IRDM S3A0 V30 UHS I U3 64 ГБ (IR-S3A0-0640R12)
 | Товар застарів Тип: SD; Швидкість читання даних (МБ/с): 100; Швидкість запису даних (МБ/с): 40; |
 |
Закрити
Рекомендуємо товари в наявностіКарти пам'яті GOODRAM →
GOODRAM SDXC IRDM S3A0 V30 UHS I U3 64Gb 64 ГБ 128 ГБ | |||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі GOODRAM.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі GOODRAM.
Серія GOODRAM IRDM (топ / ігрові)
32 ГБ, на 2 планках, DDR5, 6000 МГц, таймінги 30-36-36-76, 1.35 В, XMP, EXPO, радіатор
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 9000 МБ/с, читання: 11500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
32 ГБ, на 2 планках, DDR5, 6400 МГц, таймінги 32-38-38-78, 1.35 В, XMP, EXPO, радіатор
512 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запис: 4600 МБ/с, читання: 5100 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6850 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, гарантія 5 років
32 ГБ, на 2 планках, DDR5, 5600 МГц, таймінги 30-36-36-76, 1.25 В, XMP, EXPO, радіатор
2048 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запис: 6000 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 11000 МБ/с, читання: 12000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1024 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запис: 6000 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5500 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, гарантія 5 років
64 ГБ, на 2 планках, DDR5, 6000 МГц, таймінги 30-38-38-96, 1.35 В, XMP, EXPO, радіатор