SSD Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
 |
 |
Закрыть
Samsung MZ-V9E1T0BW 1 ТБ2 ТБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Работает в режимах PCI-E 4.0 x4 или PCI-E 5.0 2x.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
Все цены 85 →Накопитель SSD M.2 2280 1TB 990 EVO Samsung (MZ-V9E1T0BW) | 3 980 грн. |  | |||
| 3 785 грн. |  | ||||
SSD диск Samsung 990 EVO 1TB M.2 NVMe TLC PCIe 5.0 (MZ-V9E1T0BW) MZ-V9E1T0BW | 3 699 грн. |  | |||
| 3 299 грн. |  | ||||
SSD M.2 NVMe 1TB Samsung 990 EVO TLC 5000/4200MB/s PCIe 5.0 (MZ-V9E1T0BW) MZ-V9E1T0B | 3 399 грн. |  | |||
eще 20 предложений
Серия Samsung EVO (высокоэффективные TLC)Сравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7250 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7150 МБ/с, гарантия 5 лет
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3200 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2300 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запись: 6300 МБ/с, чтение: 7250 МБ/с, гарантия 5 лет
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 520 МБ/с, чтение: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 530 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 520 МБ/с, чтение: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM буфер, гарантия 5 лет
Видеообзоры
Samsung 990 EVO Review - All Capacities Tested
2 февраля 202449 898 просмотров
GENIUS: Gen4 & Gen5 in ONE DRIVE! | Samsung 990 EVO SSD Review & Benchmarks
28 января 202490 943 просмотра
Как выбрать SSD-накопитель
РекомендуемСравнить в таблице →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3000 МБ/с, чтение: 3400 МБ/с, гарантия 3 года
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6500 МБ/с, чтение: 7400 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4400 МБ/с, чтение: 5000 МБ/с, гарантия 3 года
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4000 МБ/с, чтение: 4950 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 3000 МБ/с, чтение: 3500 МБ/с, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 5500 МБ/с, чтение: 7400 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6100 МБ/с, чтение: 7100 МБ/с, гарантия 3 года
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 2060 МБ/с, чтение: 2250 МБ/с, гарантия 5 лет
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7000 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 6000 МБ/с, чтение: 7300 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запись: 4200 МБ/с, чтение: 4700 МБ/с, DRAM буфер, гарантия 5 лет
1000 ГБ, M.2, 22x80, SATA 3, 3D TLC NAND, запись: 520 МБ/с, чтение: 560 МБ/с, гарантия 5 лет
