SSD Samsung T5 EVO MU-PH2T0S 2 ТБ
 |
 |
Закрити
Samsung MU-PH2T0S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T5 EVO використовує технологію Dynamic Thermal Guard для протидії та контролю нагріву. Металевий та прогумований корпус.
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Купити Samsung T5 EVO MU-PH2T0S 2 ТБ
Усі ціни 40 →Накопитель SSD USB 3.2 2TB T5 Shield Samsung (MU-PH2T0S/EU) | 7 104 грн. |  | |||
| 6 399 грн. |  | ||||
Samsung T5 Shield 2TB (MU-PH2T0S) Ua | 6 580 грн. |  | |||
| 6 395 грн. |  | ||||
| 5 158 грн. |  | ||||
ще 20 пропозицій
Серія Samsung Portable (зовнішні)Порівняти в таблиці →
зовнішній, 1000 ГБ, 2.5", запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 1000 ГБ, 2.5", запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 2000 ГБ, 2.5", запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 2000 ГБ, 3D QLC NAND, запис: 460 МБ/с, читання: 460 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 1000 ГБ, 3D NAND, запис: 1950 МБ/с, читання: 2000 МБ/с, USB C 3.2 gen2x2, ударостійкий, гарантія 5 років
зовнішній, 2000 ГБ, 3D NAND, запис: 1950 МБ/с, читання: 2000 МБ/с, USB C 3.2 gen2x2, ударостійкий, гарантія 5 років
зовнішній, 4000 ГБ, 2.5", запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 2000 ГБ, 2.5", запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 500 ГБ, 2.5", запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 4000 ГБ, 3D NAND, запис: 2000 МБ/с, читання: 2000 МБ/с, USB C 3.2 gen2x2, ударостійкий, гарантія 5 років
зовнішній, 4000 ГБ, 3D QLC NAND, запис: 460 МБ/с, читання: 460 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 4000 ГБ, 2.5", запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, гарантія 3 роки
зовнішній, 8000 ГБ, 3D QLC NAND, запис: 460 МБ/с, читання: 460 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, гарантія 3 роки
зовнішній, 250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 515 МБ/с, читання: 540 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостійкий, гарантія 3 роки
зовнішній, 500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 1000 МБ/с, читання: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, гарантія 3 роки
Відеоогляди
Big Capacity, Small Performance - Samsung T5 Evo Review
16 листопада 202338 751 перегляд
Samsung T5 EVO 8TB External SSD Review
14 листопада 202347 347 переглядів
Як вибрати SSD-накопичувач
Рекомендуємо
зовнішній, 2000 ГБ, запис: 400 МБ/с, читання: 550 МБ/с, USB C 3.2 gen1, гарантія 3 роки
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 6500 МБ/с, IOPS 820 / 1000 тис, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тис
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тис, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тис
256 - 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, 1200 - 3000 МБ/с, IOPS 315 - 680 тис, 3500 МБ/с, IOPS 210 - 700 тис
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тис, 450 МБ/с, IOPS 40 тис
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, 6300 МБ/с, IOPS 1350 / 1400 тис, 7150 / 7250 МБ/с, IOPS 850 - 1050 тис
250 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 1300 - 2700 МБ/с, IOPS 300 - 540 тис, 3200 / 3500 МБ/с, IOPS 110 - 380 тис
