SSD GOODRAM IRDM Ultimate X IRX-SSDPR-P44X-500-80 500 ГБ
 | Товар застарів 9 996 грн. Тип: внутрішній; Об'єм (ГБ): 500; Форм-фактор: M.2; Інтерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контролер: Phison PS5016-E16; NVMe; Зовнішня швидкість запису (МБ/с): 2500; Зовнішня швидкість зчитування (МБ/с): 5000; Гарантія виробника: 5 років; TRIM; Охолодження M.2: радіатор; |
 |
Закрити
Рекомендуємо товари в наявностіSSD-накопичувачі GOODRAM →
GOODRAM IRX-SSDPR-P44X-500-80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі GOODRAM.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог GOODRAM 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі GOODRAM.
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Серія GOODRAM IRDM (топ/ігрові)
32 ГБ, на 2 планках, DDR5, 6000 МГц, таймінги 30-36-36-76, 1.35 В, XMP, EXPO, радіатор
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 9000 МБ/с, читання: 11500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
32 ГБ, на 2 планках, DDR5, 6400 МГц, таймінги 32-38-38-78, 1.35 В, XMP, EXPO, радіатор
2048 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запис: 6000 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, гарантія 5 років
64 ГБ, на 2 планках, DDR5, 6000 МГц, таймінги 30-38-38-96, 1.35 В, XMP, EXPO, радіатор
512 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запис: 4600 МБ/с, читання: 5100 МБ/с, гарантія 5 років
32 ГБ, на 2 планках, DDR5, 5600 МГц, таймінги 30-36-36-76, 1.25 В, XMP, EXPO, радіатор
1024 ГБ, M.2, 22x30, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, запис: 6000 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 11000 МБ/с, читання: 12000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6850 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 11000 МБ/с, читання: 12000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
Відеоогляди