SSD Samsung 840 EVO MZ-7TE120Z 120 ГБ
 | Товар застарів 2 627 грн. Тип: внутрішній; Об'єм (ГБ): 120; Форм-фактор: 2.5"; Зовнішня швидкість запису (МБ/с): 410; Зовнішня швидкість зчитування (МБ/с): 540; |
 |
Закрити
Samsung MZ-7TE120Z | |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2024 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2024 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Серія Samsung EVO (високоефективні TLC)Порівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3200 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2300 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 520 МБ/с, читання: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 520 МБ/с, читання: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
Відеоогляди
Samsung 840 EVO 250gb SSD Unboxing
7 грудня 2014139 переглядів
Samsung 840 EVO & Sapphire R9 290 Tri-x Oc @ Grid 2 (Part 2)
25 вересня 2014256 переглядів
Samsung 840 EVO SSD - Windows 8.1 Boot Speed
2 грудня 2014318 переглядів
Samsung 840 EVO Series SSD: 2013 SSD Global Summit
3 лютого 2014112 переглядів
Samsung 840 Evo SSD Overview
22 жовтня 2013123 перегляда
Samsung 840 EVO SSD Overview and Unboxing
2 серпня 2014844 перегляда
[14+ Years] Pis : Unboxing 250GB Samsung 840 EVO
13 липня 2014161 перегляд
Newegg unboxing of Asus Crosshair V Formula-Z, Samsung EVO 840 SSD, Crucial MEM with LED's
30 грудня 2013410 переглядів
Samsung 840 EVO 120 Gb SSD Shutdown and Bootup
8 червня 2014210 переглядів
Brinell Drive SSD 500GB (Samsung 840 EVO) - Review
7 червня 2014779 переглядів
Eray's Gaming PC Build [Part #3] - Samsung 840 EVO SSD
12 лютого 2014397 переглядів
Unboxing Samsung Electronics 840 EVO-Series 120GB SSD
4 грудня 2013144 перегляда
Samsung 840 EVO SSD 120GB
4 січня 2015168 переглядів
SAMSUNG 840 EVO 120GB - Solid State Drive - Dysk SSD [ROZPAKOWANIE]
23 листопада 20141 086 переглядів
Dysk SSD Samsung 840EVO 500GB - Recenzja Test Opinia - ForumWiedzy | ForumWiedzy
24 лютого 20144 002 перегляда
Як вибрати SSD-накопичувач
Рекомендуємо
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 6500 МБ/с, IOPS 820 / 1000 тис, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тис
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 тис, 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тис
256 - 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, 1200 - 3000 МБ/с, IOPS 315 - 680 тис, 3500 МБ/с, IOPS 210 - 700 тис
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тис, 450 МБ/с, IOPS 40 тис
256 - 1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, 950 - 1650 МБ/с, 1850 - 2050 МБ/с
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 4000 - 6400 МБ/с, IOPS - / 700 тис, 7000 / 7400 МБ/с
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тис, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тис
