SSD Samsung T5 EVO MU-PH8T0S 8 ТБ
 |
 |
Закрыть
Samsung MU-PH8T0S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||
T5 EVO использует технологию Dynamic Thermal Guard для противодействия и контроля нагрева. Металлический и прорезиненный корпус.
Информация в описании модели носит справочный характер.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
Всегда перед покупкой уточняйте у менеджера интернет-магазина характеристики и комплектацию товара
Каталог Samsung 2025 - новинки, хиты продаж и самые актуальные модели Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: какой тип памяти накопителей лучше?Важные отличия типов NAND-памяти TLC, QLC, MLC, SLC, которые определяют сферу их использования и перспективу развития
Как выбрать SSD накопитель?Выбираем SSD с необходимым быстродействием и хорошей надежностью для дома, работы и гейминга
Купить Samsung T5 EVO MU-PH8T0S 8 ТБ
Все цены 24 →| 25 259 грн. |  | ||||
| 23 259 грн. |  | ||||
Samsung T5 Evo 8 ТБ (MU-PH8T0S) | 32 683 грн. |  | |||
| 32 683 грн. |  | ||||
Накопичувач SSD USB 3.2 8TB T5 Shield Samsung (MU-PH8T0S/EU) MU-PH8T0S/EU | 25 629 грн. |  | |||
eще 19 предложений
Серия Samsung Portable (внешние)Сравнить в таблице →
внешний, 1000 ГБ, 2.5", запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 1000 ГБ, 2.5", 3D NAND, запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 4000 ГБ, 2.5", 3D NAND, запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 2000 ГБ, 2.5", запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 2000 ГБ, 2.5", 3D NAND, запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 2000 ГБ, 3D QLC NAND, запись: 460 МБ/с, чтение: 460 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 4000 ГБ, 3D QLC NAND, запись: 460 МБ/с, чтение: 460 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 4000 ГБ, 2.5", запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 2000 ГБ, 3D NAND, запись: 1950 МБ/с, чтение: 2000 МБ/с, USB C 3.2 gen2x2, ударостойкий, гарантия 5 лет
внешний, 4000 ГБ, 3D NAND, запись: 2000 МБ/с, чтение: 2000 МБ/с, USB C 3.2 gen2x2, ударостойкий, гарантия 5 лет
внешний, 1000 ГБ, 3D NAND, запись: 1950 МБ/с, чтение: 2000 МБ/с, USB C 3.2 gen2x2, ударостойкий, гарантия 5 лет
внешний, 500 ГБ, 2.5", запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 8000 ГБ, 3D QLC NAND, запись: 460 МБ/с, чтение: 460 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 515 МБ/с, чтение: 540 МБ/с, USB C 3.2 gen1, ударостойкий, гарантия 3 года
внешний, 500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, гарантия 3 года
внешний, 1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, гарантия 3 года
внешний, 2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запись: 1000 МБ/с, чтение: 1050 МБ/с, USB C 3.2 gen2, гарантия 3 года
Модификации Samsung T5 EVO MU-PH8T0S
| Цены на Samsung T5 EVO MU-PH8T0S | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung T5 EVO MU-PH2T0S 2 ТБ | от 4 650 грн. | 69 предложений | |
| Samsung T5 EVO MU-PH4T0S 4 ТБ | от 8 452 грн. | 64 предложения | |
| Samsung T5 EVO MU-PH8T0S 8 ТБ | от 21 839 грн. | 24 предложения | |
Видеообзоры
Big Capacity, Small Performance - Samsung T5 Evo Review
16 ноября 202347 770 просмотров
Samsung T5 EVO 8TB External SSD Review
14 ноября 202361 001 просмотр
Как выбрать SSD-накопитель
Рекомендуем
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тыс, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тыс
128 - 4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тыс, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 90 тыс
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, 6300 МБ/с, IOPS 1350 / 1400 тыс, 7150 / 7250 МБ/с, IOPS 850 - 1050 тыс
250 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 1300 - 2700 МБ/с, IOPS 300 - 540 тыс, 3200 / 3500 МБ/с, IOPS 110 - 380 тыс
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 4000 - 6400 МБ/с, IOPS - / 700 тыс, 7000 / 7400 МБ/с
